مهندسان انگليسي روش جديدي براي ساخت ترانزيستور‌هاي دوقطبي كه دو برابر ترانزيستور‌هاي فعلي سرعت دارند، ابداع كردند.
به گزارش سرويس فن‌آوري اطلاعات خبرگزاري دانشجويان ايران (ايسنا)، اين ترانزيستور‌ها ابزارهاي ريزتراشه‌اي جامد‌ي هستند كه در تلفن‌هاي همراه و سيستم‌هاي مختلف بي‌سيم كاربرد دارند.
مهندسان آموزشگاه علوم رايانه و الكترونيك، تحقيقاتي را بر روي يك تكنيك استاندارد دو قطبي سيليكون به همراه فلوئور انجام دادند تا سرعت سريع‌ترين ترانزيستور قبلي جهان بهبود يابد.